薄膜材料電容率的測量

利用阻抗分析儀測量了金屬-介質(zhì)薄膜-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的C-V特性曲線. 由積累區(qū)電容得到所制備HfO2薄膜的電容為1.24 nF,計算得其相對電容率為12.49.

作 者： 吳平 張師平 閆丹 陳森 WU Ping ZHANG Shi-ping YAN Dan CHEN Sen   作者單位： 北京科技大學(xué),應(yīng)用科學(xué)學(xué)院,物理系,北京,100083  刊 名： 物理實驗  PKU 英文刊名： PHYSICS EXPERIMENTATION  年，卷(期)： 2009 29(2)  分類號： O484.5  關(guān)鍵詞： 薄膜   電容率   阻抗分析儀  

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