等離子體增強分子束外延生長ZnO薄膜及光電特性的研究

利用等離子體輔助分子束外延設備(P-MBE)在藍寶石(Al2O3)襯底上外延生長ZnO薄膜,研究了不同生長溫度對結晶質量的影響.隨著生長溫度的升高,X射線搖擺曲線(XRC)半高寬從0.88°變窄至 0.29°,從原子力顯微鏡(AFM)圖像中發現薄膜中晶粒從20nm左右增大至200nm,室溫光致發光(PL)譜中顯示了一個近帶邊的紫外光發射(UVE)和一個與深中心有關的可見光發射.隨著生長溫度升高,可見光發射逐漸變弱,薄膜的室溫載流子濃度由1.06×1019/cm3減少到7.66×1016/cm3,表明在高溫下生長的薄膜中鋅氧化學計量比趨于平衡,高質量的ZnO薄膜被獲得.通過測量變溫光譜,證實所有樣品在室溫下PL譜中紫外發光都來自于自由激子發射;隨著生長溫度的變化UVE峰位藍移與晶粒尺寸不同引起的量子限域效應相關.

作 者： 梁紅偉 呂有明 申德振 顏建鋒 劉益春 李炳輝 趙東旭 張吉英 范希武   作者單位： 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所,激發態物理重點實驗室,長春 130022  刊 名： 人工晶體學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS  年，卷(期)： 2003 32(6)  分類號： O782.9 TN304.21  關鍵詞： ZnO薄膜   等離子體增強分子束外延   光致發光   量子限域效應   X射線搖擺曲線  

【等離子體增強分子束外延生長ZnO薄膜及光電特性的研究】相關文章：

分子束外延生長液晶光閥用ZnSxSe1-x薄膜的研究04-27

N 摻雜ZnO薄膜的接觸特性04-26

Ag摻雜對ZnO薄膜的光電性能影響04-26

分子束外延生長ZnSe自組織量子點光、電行為研究?04-27

自持金剛石厚膜上沉積生長ZnO薄膜及發光特性04-26

β-FeSi2薄膜的結構與光電特性04-26

RF濺射ZnO薄膜工藝與結構研究04-26

射頻反應濺射制備的ZnO薄膜的結構和發光特性04-27

納米ZnO薄膜制備及液態源摻雜04-27

不同氧分壓下ZrO2薄膜特性研究04-26