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MOCVI法制備SiO2/SiO2復合材料

時間:2023-04-27 18:58:53 航空航天論文 我要投稿
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MOCVI法制備SiO2/SiO2復合材料

依據金屬基化學氣相滲透法(Metal Organic Chemical Vapor Infiltration,MOCVI)工藝理論基礎,采用MOCVI法制備出SiO2/SiO2復合材料,并分析了載氣流量、先驅體JH20溫度和沉積溫度對氧化硅基體滲透速率和SiO2/SiO2(石英玻璃)復合材料顯微結構的影響.結果表明,優化條件為:JH20的溫度為60℃,載氣流量為500mL/min,氧氣流量為15mL/min,沉積溫度為600℃.

作 者: 鄭勇 張立同 陳照峰 成來飛 徐永東   作者單位: 西北工業大學超高溫結構復合材料國防科技重點實驗室  刊 名: 航空制造技術  ISTIC 英文刊名: AERONAUTICAL MANUFACTURING TECHNOLOGY  年,卷(期): 2007 ""(1)  分類號: V2  關鍵詞: 復合材料   石英玻璃   MOCVI   制備條件  

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